IPW60R045P7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為44mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，該器件在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統，如服務器電源、通信電源及可再生能源相關設備中的功率級設計。
