SIHG075N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的漏極電流額定值和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為75mΩ，在柵源驅動電壓范圍-8V至@0V內可靠運行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類中高功率電子設備中的功率開關環節。其電氣參數組合有助于實現緊湊的電路布局與較高的系統能效。
