IPP65R041CFD7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:105A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備105A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高溫工作條件下仍能維持較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源并網(wǎng)系統(tǒng)以及對(duì)體積與散熱有嚴(yán)苛要求的電力電子設(shè)備。其寬柵壓范圍有助于提升驅(qū)動(dòng)電路的適配性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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