GC080N65QF_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的高頻開關(guān)性能，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、光伏逆變系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心供電及高頻電力電子設(shè)備，在高溫或高開關(guān)頻率環(huán)境下仍可維持穩(wěn)定運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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