FCP110N65F-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為30A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與優異的高頻開關特性，適用于高效率電源轉換系統。其穩定的電氣性能和良好的熱穩定性，可滿足對緊湊布局與高效能要求較高的電力電子應用需求。
