NVBG110N65S3F-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:31A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有31A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性。適用于對效率和功率密度要求較高的電源系統(tǒng)，可在高電壓、大電流環(huán)境下實現(xiàn)穩(wěn)定運行，同時其寬柵壓范圍有助于適配多種驅(qū)動電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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