STW34N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，額定漏極電流ID為32A，最大漏源電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓、低導通損耗及優異的高溫工作能力，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景，可有效提升系統整體性能與可靠性。
