STWA65N045M9-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的連續(xù)漏極電流、650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為44mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場和高熱導(dǎo)率特性，在高頻開關(guān)應(yīng)用中可顯著降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)整體效率。適用于高功率密度電源、可再生能源逆變系統(tǒng)及對能效和熱管理要求較高的電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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