IPW65R035CFD7AXKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關操作中展現出較低的導通損耗與優異的熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場合，如數據中心供電、光伏逆變系統及高可靠性電能管理設備。
