IPW65R045C7FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為44mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。其寬驅(qū)動(dòng)電壓范圍有助于提升開關(guān)可靠性，低導(dǎo)通電阻可有效降低導(dǎo)通損耗，適用于高效率、高頻率的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、光伏逆變器及儲(chǔ)能設(shè)備中的直流-直流或直流-交流變換環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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