IPW65R041CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。其結構利用碳化硅材料特性，在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換系統，如通信電源、可再生能源并網設備及高密度電力電子模塊。
