IPWS65R050CFD7AXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為55A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備低開關損耗與高耐溫特性，適用于高頻、高效率的電源系統。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時在高功率密度設計中可有效降低熱管理復雜度，適合對能效和體積有嚴苛要求的電力電子應用。
