NVHL072N65S3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，漏極電流ID達55A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)低至58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料的特性，在高頻、高壓工作條件下展現出優異的開關性能與熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換系統，可有效降低導通與開關損耗，提升整體能效表現。
