IPW65R080CFDFKSA2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、36A的連續漏極電流（ID）以及75mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵極驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統及緊湊型電力電子設備，在提升能效和減小系統體積方面具有顯著優勢。
