FL06100G-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統整體能效，適合用于高頻率、高效率的電源管理及能量轉換系統中。
