SIHH190N65E-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為800V，導通電阻典型值為165mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，該器件在高電壓應用中展現出優異的開關性能與熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換系統。其電氣參數組合使其在高頻、高壓環境中具有良好的可靠性與控制精度。
