FCH099N65S3-F155-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為36A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下具備較低的導通與開關損耗，同時支持較高的工作結溫。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統及大功率充電裝置等應用，可在緊湊設計中實現穩定的電氣性能與良好的熱管理。
