GC041N65QF_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至44mΩ，適用于高效率功率轉換場景。其柵源電壓范圍為-8V至@0V（VGS），具備良好的驅動兼容性與開關特性。器件基于碳化硅材料，相較傳統硅基MOSFET，在高頻、高溫工作條件下展現出更低的導通與開關損耗，適合用于對能效和熱管理要求較高的電源系統中。
