IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、36A的連續漏極電流（ID）和75mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、光伏逆變、儲能系統及服務器電源等場景，其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性與運行可靠性。
