TK28E65W,S1X_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為30A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與優異的開關特性，適用于高效率電源、光伏逆變器、服務器電源及高頻電力轉換系統，在高溫或高頻率工作條件下仍能保持穩定性能。
