TK115N65Z5,S1F_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為32A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強(qiáng)度與優(yōu)異熱導(dǎo)率，器件在高頻開關(guān)操作中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗和良好的熱穩(wěn)定性。適用于需要高效率、高功率密度及緊湊結(jié)構(gòu)的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，在對(duì)電氣性能和長期運(yùn)行可靠性有較高要求的場合中可發(fā)揮優(yōu)勢。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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