NVHL050N65S3HF-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和58mΩ的導通電阻，柵源電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與導通損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率、高功率密度的電源轉換場合，可在緊湊型設計中實現優異的電氣性能與可靠性。
