IMW65R050M2HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的連續(xù)漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為58mΩ，在柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高溫環(huán)境下展現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能與低導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其電氣參數(shù)組合使其在高電壓應(yīng)用場(chǎng)景中具備良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)與熱穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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