IPP60R099CPXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為30A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V?；谔蓟璨牧系奶匦?，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、光伏逆變系統(tǒng)、不間斷電源以及通信設(shè)備中的功率管理模塊，能夠在緊湊布局中實(shí)現(xiàn)可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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