NTBL050N65S3H-HXY_TOLLS_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具有63A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為58mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的開(kāi)關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻有助于減小導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時(shí)寬柵壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)兼容性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
