SIHH21N65E-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為25A，漏源擊穿電壓達800V，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關應用中展現出較低的導通損耗和優異的熱穩定性，適用于高效率電源、可再生能源逆變系統以及對功率密度和能效有較高要求的電力電子設備。
