RJK5003DPD-00#J2-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于中等功率開關(guān)場景，能夠在較高電壓下穩(wěn)定工作，其N溝道結(jié)構(gòu)便于實(shí)現(xiàn)高效的低側(cè)開關(guān)配置。由于具備較高的耐壓能力與適中的導(dǎo)通損耗，適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類電子負(fù)載控制等應(yīng)用場合，滿足對電壓應(yīng)力和電流承載有一定要求的電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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