TK090N65Z,S1F_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、36A的連續(xù)漏極電流（ID）和75mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)操作中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換場合。其寬柵壓范圍有助于提升驅(qū)動兼容性，并支持在嚴(yán)苛電氣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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