IPW65R099C6FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:38A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為38A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為95mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，適用于多種驅動電路配置，有助于增強開關穩定性并抑制誤導通。憑借碳化硅材料的固有優勢，器件在高頻工作條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱性能，適合用于高效率電源、可再生能源轉換系統及對功率密度有較高要求的電力電子應用。
