FCPF099N65S3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有24A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為95mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料優勢，在高頻開關應用中展現出較低的導通與開關損耗，并具備良好的高溫工作能力。適用于高效率電源系統、可再生能源轉換設備以及對熱管理與體積有較高要求的功率電子模塊，有助于實現緊湊且高效的電路設計。
