STW45NM60-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為32A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與優異的開關性能，在高頻運行條件下仍能保持較低的溫升。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統及緊湊型電力電子設備，能夠有效支持對能效和熱管理有較高要求的應用場景。
