STWA32N65DM6AG-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為36A，最大漏源電壓為650V，導通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關操作中表現出較低的損耗和良好的熱穩定性，適用于高效率電源、可再生能源逆變系統以及對功率密度和能效有較高要求的電力電子應用。
