IMT65R060M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有63A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，在高頻開關操作中展現出較低的導通損耗與優異的熱性能，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統。其低RDS(on)有助于降低功耗，提升能效，而寬VGS范圍則增強了與多種驅動方案的兼容性，適合用于對可靠性和緊湊性有較高要求的電力電子應用。
