UJ3C065080K3S-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為75mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的導通與開關(guān)損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、可再生能源并網(wǎng)設(shè)備以及高密度電力電子模塊中，能夠支持緊湊型電路設(shè)計與長期穩(wěn)定運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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