FCH041N65EFLN4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為55A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為45mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置及高性能計算設備中的功率管理模塊。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，同時有助于優化系統可靠性與熱管理設計。
