SIHP28N65E-GE3-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備30A的漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。其采用碳化硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在高頻開關(guān)條件下可實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，并具有良好的熱導(dǎo)性能。適用于高效率電源、光伏逆變器、服務(wù)器供電系統(tǒng)及對功率密度和能效有明確要求的電力電子應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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