SIHG100N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，在高頻開關(guān)條件下展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源接入系統(tǒng)以及對功率密度有較高要求的電力電子應(yīng)用，有助于提升整體系統(tǒng)能效與運(yùn)行可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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