SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:14A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:315mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為14A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為315mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料優勢，在高電壓條件下實現低導通損耗與快速開關特性，同時具備良好的高溫穩定性。其N溝道結構與寬柵壓范圍適配多種驅動方案，適用于對轉換效率、熱管理和開關頻率有較高要求的電源系統。
