R6535KNX3C16-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場與高熱導率特性，在高頻開關條件下可顯著降低導通與開關損耗。適用于高效率電源、可再生能源逆變系統及對功率密度和熱管理要求較高的電力電子應用，其寬柵壓范圍也便于適配多種驅動電路設計。
