IPP65R110CFDXKSA2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為30A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備高耐壓、低導通損耗和優異的高頻開關特性。適用于對效率、功率密度和熱性能有較高要求的電源系統，如服務器電源、光伏逆變器及高頻DC-DC轉換器等場合，在高開關頻率下仍能保持穩定可靠的運行表現。
