STW63N65DM2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的漏極電流能力與650V的漏源耐壓，導通電阻為58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能計算供電等場景。其電氣參數支持在緊湊布局中實現穩定可靠的功率控制，同時有助于提升整體系統能效與熱性能。
