STL21N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為800V，導通電阻典型值為165mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下穩定工作。憑借碳化硅材料的優異特性，該器件在高電壓、高頻開關場景中表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換系統，可有效提升整體能效與功率密度。
