IPL65R095CFD7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和75mΩ的導通電阻，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗與導通損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率電源轉換、服務器電源、通信設備供電系統以及對體積和能效有嚴格要求的電力電子場合。
