STF40N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID），在25℃條件下導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為95mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于高效率、高頻開關(guān)場(chǎng)景。器件憑借碳化硅材料特性，在高溫與高壓環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定電氣性能，適合用于對(duì)能效和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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