IXFH60N65X2-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為58mΩ，柵源電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)條件下仍保持較低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍提升了與多種驅(qū)動(dòng)電路的適配能力，在對(duì)體積、散熱及能效有較高要求的電力電子設(shè)備中具備良好適用性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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