FCMT080N65S3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻工作時表現出優異的開關速度與低損耗性能，適用于高效率電源轉換系統。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升整體能效，并支持緊湊型電路布局與良好的熱管理。
