IPA65R110CFDXKSA2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為95mΩ，柵源電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，同時具有良好的熱穩定性和抗干擾能力。其低導通電阻有助于提升系統整體效率，適用于高功率密度的電源轉換及高頻逆變等場合，能夠滿足對能效和可靠性要求較高的電子系統需求。
