STP34N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻、高溫環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的開關(guān)性能與低導(dǎo)通損耗。適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、可再生能源逆變器及高頻率開關(guān)電源等場景，能夠有效提升系統(tǒng)整體能效與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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