STW40N65M2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:38A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET支持38A的連續漏極電流，最大漏源電壓為650V，導通電阻為95mΩ，在柵源驅動電壓范圍-8V至@0V內可靠運行。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類緊湊型電力電子裝置中，有助于提升整體能效并減少熱管理負擔。
