IPP60R125CPXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備30A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉換場景，如服務器供電、通信電源、光伏逆變器及高密度電力電子模塊，在提升系統效率的同時支持緊湊型設計。
